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產(chǎn)品品牌: | ||
產(chǎn)品價格: | 面議 | |
所 在 地: | 江蘇 泰州市 | |
發(fā)布日期: | 2024-12-02 | |
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詳細說明
ZEM-5熱電性能分析系統(tǒng)
技術(shù)特點:
適用于研究開發(fā)各種熱電材料和薄膜材料,提高測量精度
溫度檢測采用C型熱電偶,最適合測量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) *HT型
真正可測基板上的納米級薄膜(TF型)
最大可測10MΩ高電阻材料
標準搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表
基于日本工業(yè)標準JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)
ZEM-5HT ZEM-5HR ZEM-5LT ZEM-5TF
特 點 高溫型 高電阻型
最大電阻:10MΩ 低中溫型 薄膜型
可測在基板上形成的熱電薄膜
溫度范圍 RT-1200℃ RT-800℃ -150℃-200℃ RT-500℃
樣品尺寸 直徑或正方形:2 to 4 mm2 ;
長度3 ~ 15mm 成膜基板:寬2-4mm,厚0.4-12mm,長20mm
薄膜厚度:≥nm量級
薄膜樣品與基板要求絕緣
控溫精度 ±0.5K
測量精度 塞貝克系數(shù):<±7%; 電阻系數(shù):<±7%
測量原理 塞貝克系數(shù):靜態(tài)直流電; 電阻系數(shù):四端法
測量范圍 塞貝克系數(shù):0.5μV/K_25V/K; 電阻系數(shù):0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ
分辨率 塞貝克系數(shù):10nV/K; 電阻系數(shù):10nOhm
氣 氛 減壓He