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產(chǎn)品型號： | |
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| 產(chǎn)品價格： | 面議 | |
| 所 在 地： | 江蘇 泰州市 | |
| 發(fā)布日期： | 2025-06-22 | |
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詳細說明
GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能）
關(guān)鍵詞：四探針，電
GWST-1000型高溫四探針綜合測試系統(tǒng)（包含薄膜，塊體功能）是為了更方便的研究在高溫條件下的半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，該系統(tǒng)可以完全實現(xiàn)在高溫、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率和外延層、擴散層和離子層的方塊電阻及測量其他方塊電阻。該系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于高等院校和科研院所，是科研的重要設(shè)備。
二、符合：
1、符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》、
2、符合GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》
3、符合美國 A.S.T.M 標準
二、產(chǎn)品應(yīng)用：
1、測試硅類半導(dǎo)體、金屬、導(dǎo)電塑料類等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻；
2、可測柔性材料導(dǎo)電薄膜電阻率/方阻
3、金屬涂層或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上導(dǎo)電膜（ITO膜）電阻率/方阻
4、納米涂層等半導(dǎo)體材料的電阻率/方阻
5、電阻器體電阻、金屬導(dǎo)體的低、中值電阻以及開關(guān)類接觸電阻進行測量
6、可測試電池極片等箔上涂層電阻率方阻
三、主要技術(shù)參數(shù)
溫度范圍：RT-1000℃
升溫斜率：0-10℃/min (典型值：3℃/min)
控溫精度：±0.1℃
電阻測量范圍：0.1mΩ~1MΩ
電阻率測量范圍：100nΩ..cm~100KΩ .cm
測量環(huán)境：惰性氣氛、還原氣氛、真空氣氛
測量方法：四線電阻法，探針法
測試通道：單通道或是雙通道
樣品尺寸：10mmx10mmX20mm或φ＜20mm ,d＜5mm
電極材料：鉑銥合金電極（耐高溫，抗氧化）
絕緣材料：99氧化鋁陶瓷
數(shù)據(jù)存儲格式：自動分析數(shù)據(jù)，可以分類保存，樣品和測量方案結(jié)合在一起，生成系統(tǒng)所需的實驗方案，輸出TXT、XLS、BMP等格式文件
數(shù)據(jù)傳輸：USB
符合標準：ASTM
供電：220V±10%，50Hz
工作溫度：5℃ 至 + 40 ℃；
工作濕度：+40 ℃ 時，相對濕度高達 95%（無冷凝）
設(shè)備尺寸： L360mm*W370mm*H510mm
重量：22kg